講演情報
[10p-N105-8]反射/透過配置放射光XRTを用いたβ型Ga2O3基板とエピ層の転位解析
〇姚 永昭1,2、勝部 大樹2、山口 博隆2、菅原 義弘2、石川 由加里2、佐々木 公平3、倉又 朗人3 (1.三重大学、2.ファインセラミックスセンター、3.ノベルクリスタルテクノロジー)
キーワード：
酸化ガリウム、X線トポグラフィー、転位
結晶中の格子欠陥、特に転位は、β型Ga₂O₃のパワーデバイス性能に重大な影響を及ぼすことが知られている。したがって、高性能デバイスの実現には、転位の種類および分布を正確に把握するとともに、それに基づく低転位化技術の開発が不可欠である。本研究では、非破壊、大面積かつリアルタイムでの観察が可能な手法として、放射光X線トポグラフィー（XRT）を用いた転位評価技術の開発に取り組んだ。本発表では、反射配置および透過配置を用いたXRT測定で得られた、バルク基板およびエピ層における転位の空間分布と種類の解析結果を報告する。