Presentation Information
[10p-N105-9]Operando observation technique of dislocations in β-Ga2O3 power devices under actual operating conditions using synchrotron X-ray topography
〇Yongzhao Yao1,2, Daiki Katsube2, Hirotaka Yamaguchi2, Yoshihiro Sugawara2, Yukari Ishikawa2, Daiki Wakimoto3, Hironobu Miyamoto3, Kohei Sasaki3, Akito Kuramata3 (1.Mie Univ., 2.JFCC, 3.Novel Crystal Technology)
Keywords:
Ga2O3,X-ray topography,operando observation
β-Ga₂O₃結晶中の転位はパワーデバイスの性能に悪影響を及ぼすことが知られている。しかし、実際に動作しているデバイス内で、転位が電圧・電流や温度上昇などの各種外場に対してどのように振る舞うのかは、いまだ明らかになっていない。本研究では、デバイス中の転位の安定性評価およびキラー転位の特定を目的とし、従来の静的な転位観察手法である放射光X線トポグラフィー（XRT）に時間分解を導入することで、転位の動的挙動を観察可能とする新たな手法の確立に取り組んできた。本発表では、XRT法を基盤としたオペランド観測技術の構築について紹介する。