講演情報
[10p-N105-9]放射光X線トポグラフィーによる実動作中のβ-Ga2O3パワーデバイスにおける転位のオペランド観測技術
〇姚 永昭1,2、勝部 大樹2、山口 博隆2、菅原 義弘2、石川 由加里2、脇本 大樹3、宮本 広信3、佐々木 公平3、倉又 朗人3 (1.三重大学、2.ファインセラミックスセンター、3.ノベルクリスタルテクノロジー)
キーワード：
酸化ガリウム、X線トポグラフィー、オペランド観測
β-Ga₂O₃結晶中の転位はパワーデバイスの性能に悪影響を及ぼすことが知られている。しかし、実際に動作しているデバイス内で、転位が電圧・電流や温度上昇などの各種外場に対してどのように振る舞うのかは、いまだ明らかになっていない。本研究では、デバイス中の転位の安定性評価およびキラー転位の特定を目的とし、従来の静的な転位観察手法である放射光X線トポグラフィー（XRT）に時間分解を導入することで、転位の動的挙動を観察可能とする新たな手法の確立に取り組んできた。本発表では、XRT法を基盤としたオペランド観測技術の構築について紹介する。