Presentation Information
[10p-N301-11]MQW growth on sputtered GaInN on lattice-controlled ScAlMgO4 substrate
〇(M2)Ryotaro Ito1, Ryusei Sakamoto1, Naoto Hukami1, Minori Kinoshita1, Ai Sakakibara1, Seiji Ishimoto2, Seiya Nishimura2, Atsushi Suzuki2, Motoaki Iwaya1, Tetsuya Takeuchi1, Satoshi Kamiyama1, Makoto Matsukura3, Takahiro Kojima3, Atsushi Fujita4, Fuminori Yoda4, Shiori Ii4 (1.Meijo Univ., 2.E&E Evolution Ltd., 3.OXIDE Corp., 4.Shibaura Mechatronics Co.)
Keywords:
semiconductor,crystal growth
本研究室ではScAlMgO4(SAM)基板のScサイトの一部をLu置換しSAM基板よりも更に外部量子効率の向上に期待できる格子制御SAM基板を用いた研究を進めている。しかし、基板上に従来MOVPE法で成長したMQW下地層は相分離により平坦性が悪化し直上のMQW結晶性の低下が課題であった。本研究では格子制御SAM基板上の下地層に平坦性が良好なスパッタ膜を採用し、MQWを成長してその効果を検証した。