講演情報
[10p-N301-11]格子制御ScAlMgO4基板上スパッタGaInNへのMQW成長
〇(M2)伊藤 涼太郎1、坂本 龍星1、深水 直斗1、木下 実乃里1、榊原 愛1、石本 聖治2、西村 政哉2、鈴木 敦志2、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、松倉 誠3、小島 孝広3、藤田 篤史4、依田 文徳4、伊井 詩織4 (1.名城大理工、2.E＆Eエボリューション(株)、3.(株)オキサイド、4.芝浦メカトロニクス(株))
キーワード：
半導体、結晶成長
本研究室ではScAlMgO4(SAM)基板のScサイトの一部をLu置換しSAM基板よりも更に外部量子効率の向上に期待できる格子制御SAM基板を用いた研究を進めている。しかし、基板上に従来MOVPE法で成長したMQW下地層は相分離により平坦性が悪化し直上のMQW結晶性の低下が課題であった。本研究では格子制御SAM基板上の下地層に平坦性が良好なスパッタ膜を採用し、MQWを成長してその効果を検証した。