[10p-N302-1~11] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)

[10p-N302-7] Evaluation of hard mask transfer etching of HP19 nm L/S patterns in nanoimprint lithography

〇Kenta Suzuki¹, Tetsuya Ueda¹, Yuji Kasashima¹, Hamamoto Ryosuke¹, Masanaga Fukasawa¹, Wataru Mizubayashi¹, Yoshihiro Hayashi¹, Masaki Ishida², Tomomi Funayoshi², Hiromi Hiura², Masayuki Kagawa², Noriyasu Hasegawa², Kiyohito Yamamoto² (1.SFRC, AIST, 2.Canon)

Keywords:

nanoimprint lithography,hard mask transfer etching

ナノインプリントリソグラフィ（NIL）は消費電力の小さいグリーンなリソグラフィ技術であり、配線工程において、線幅の制御性に優れ、斜め線や折り曲げ線などの2次元的に自由形状の設計データに対しても忠実で高精度なパターニングができることが特徴である。本研究では微細化検証のため、HP19nmL/SのNILのパターニングおよびハードマスクの転写エッチングの評価を行った。