[10p-N302-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

15:15 〜 15:30

[10p-N302-7] ナノインプリントリソグラフィによるHP19nm L/Sパターンのハードマスクエッチングの評価

〇鈴木 健太¹、上田 哲也¹、笠嶋 悠司¹、濱本 亮輔¹、深沢 正永¹、水林 亘¹、林 喜宏¹、石田 真幸²、舩吉 智美²、日浦 広実²、香川 正行²、長谷川 敬恭²、山本 磨人² (1.産総研　SFRC、2.Canon)

キーワード：

ナノインプリントリソグラフィ、ハードマスクエッチング

ナノインプリントリソグラフィ（NIL）は消費電力の小さいグリーンなリソグラフィ技術であり、配線工程において、線幅の制御性に優れ、斜め線や折り曲げ線などの2次元的に自由形状の設計データに対しても忠実で高精度なパターニングができることが特徴である。本研究では微細化検証のため、HP19nmL/SのNILのパターニングおよびハードマスクの転写エッチングの評価を行った。