[10p-N322-1~13] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10p-N322-3] Distribution of nitrogen dopant in 4H-SiC investigated by a Laser Heterodyne Photothermal Displacement Method

〇Kouyou Harada¹, Masashi Kato², Atsuhiko Fukuyama¹ (1.Univ. of Miyazaki, 2.Nagoya Inst. of Tech.)

Keywords:

wide bandgap semiconductor,material characterization,SiC

n型SiCの作製は窒素（N）ドープが一般的であるが、N濃度の不均一性が電気的・熱的特性の不均一を生み出し、デバイス作製時の歩留まりを下げると考えられる。そこで本研究では、光励起キャリアの非発光再結合のマッピング測定が可能な光ヘテロダイン光熱変位（LH-PD）法により試料内のNの不均一性が示唆された。