[10p-N322-1~13] 15.6 IV族系化合物（SiC）

14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[10p-N322-3] 光ヘテロダイン光熱変位法を用いた4H-SiCの窒素ドーパントの分布測定

〇原田 航陽¹、加藤 正史²、福山 敦彦¹ (1.宮崎大工、2.名工大)

キーワード：

ワイドギャップ半導体、物性評価、SiC

n型SiCの作製は窒素（N）ドープが一般的であるが、N濃度の不均一性が電気的・熱的特性の不均一を生み出し、デバイス作製時の歩留まりを下げると考えられる。そこで本研究では、光励起キャリアの非発光再結合のマッピング測定が可能な光ヘテロダイン光熱変位（LH-PD）法により試料内のNの不均一性が示唆された。