[10p-N322-1~13] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10p-N322-4] Control of gas supply for reduction of N_D-N_A in closed sublimation growth of fluorescent 4H-SiC

〇Takuma Ban¹, Aoto Hashiguchi¹, Naoki Takahashi¹, Eri Akazawa², Atsushi Suzuki², Weifang Lu³, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ., 2.E&E evolution Ltd., 3.Xiamen Univ.)

Keywords:

fluorescent SiC,closed sublimation growth

B、Nを共添加したSiCは蛍光SiCと呼ばれ、DAP発光によりブロードな白色光が得られる。近接昇華法によりAr、N₂ガス流量を制御してN₂分圧を減少させた結果、ND(N濃度)-NA(B濃度)が低減しオージェ再結合が抑制され発光強度が向上した。