講演情報
[10p-N322-4]蛍光4H-SiCの近接昇華法成長におけるガス流量制御によるND-NA低減
〇坂 卓磨1、橋口 碧十1、高橋 直暉1、赤澤 絵里2、鈴木 敦志2、Lu Weifang3、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.E&Eエボ株、3.厦門大)
キーワード：
蛍光SiC、近接昇華法
B、Nを共添加したSiCは蛍光SiCと呼ばれ、DAP発光によりブロードな白色光が得られる。近接昇華法によりAr、N₂ガス流量を制御してN₂分圧を減少させた結果、ND(N濃度)-NA(B濃度)が低減しオージェ再結合が抑制され発光強度が向上した。