[10p-N324-1~12] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10p-N324-3] Etching characteristics of GaN in CH₄ plasma

〇(M1)Shuto kudo¹, Kazuo takahasi¹ (1.Kyoto Inst.)

Keywords:

Gallium nitride,Etching

本研究では、塩素系ガスを用いずにGaNをドライエッチングする新手法として、ArとCH_4、O₂の混合ガスを用いたICPエッチングを提案した。エッチング特性のガス流量比依存性を調査し、得られた結果からエッチング反応の支配因子についても考察する。