講演情報

[10p-N324-3]CH4プラズマにおけるGaNのエッチング特性

〇(M1)工藤 柊音1、高橋 和生1 (1.京工繊大)

キーワード:

窒化ガリウム、エッチング

本研究では、塩素系ガスを用いずにGaNをドライエッチングする新手法として、ArとCH4、O2の混合ガスを用いたICPエッチングを提案した。エッチング特性のガス流量比依存性を調査し、得られた結果からエッチング反応の支配因子についても考察する。