[10p-N324-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[10p-N324-3] CH₄プラズマにおけるGaNのエッチング特性

〇(M1)工藤 柊音¹、高橋 和生¹ (1.京工繊大)

キーワード：

窒化ガリウム、エッチング

本研究では、塩素系ガスを用いずにGaNをドライエッチングする新手法として、ArとCH_4、O₂の混合ガスを用いたICPエッチングを提案した。エッチング特性のガス流量比依存性を調査し、得られた結果からエッチング反応の支配因子についても考察する。