[10p-N324-1~12] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10p-N324-5] Improvement of Etching Rate for Two-step Process of TiN

〇Yudai Mashiko¹, Taku Iwase¹, Makoto Satake¹, Yasushi Sonoda², Motohiro Tanaka², Naoyuki Kofuji², Kenji Maeda² (1.Hitachi Ltd., R&D Group, 2.Hitachi High-Tech Corp.)

Keywords:

plasma etching,seam,uniform etching

先端半導体ロジックデバイスの作成で必要なコンタクトプラグの形成では，TiNの平坦加工が必要である。前回の発表では，予め形成した堆積膜越しにClラジカルを供給する2ステッププロセスを提案し，平坦加工性の向上を報告した。本研究では，平坦加工を達成しながら加工レートを向上するために，2ステッププロセスの2nd stepの高圧化を検討した。