[10p-N324-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[10p-N324-5] 2ステップTiN平坦加工プロセスにおける加工レート向上法

〇益子 侑大¹、岩瀬 拓¹、佐竹 真¹、園田 靖²、田中 基裕²、小藤 直行²、前田 賢治² (1.日立研開、2.日立ハイテク)

キーワード：

プラズマエッチング、シーム、平坦加工

先端半導体ロジックデバイスの作成で必要なコンタクトプラグの形成では，TiNの平坦加工が必要である。前回の発表では，予め形成した堆積膜越しにClラジカルを供給する2ステッププロセスを提案し，平坦加工性の向上を報告した。本研究では，平坦加工を達成しながら加工レートを向上するために，2ステッププロセスの2nd stepの高圧化を検討した。