[10p-N401-1~7] 13.3 Insulator technology

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)

[10p-N401-2] Evaluation of Slow Traps at the Al₂O₃/Ge MOS Interface Formed by Ozone Oxidation

〇Daiki Takahashi¹, Xiao Yu², Nobuyuki Aoki¹, Mengnan Ke³ (1.Chiba Univ., 2.Xidian Univ., 3.Yokohama National Univ.)

Keywords:

MOS interface,Germanium,Slow Trap

Geは高いキャリア移動度を有しており、Siと同じⅣ族の半導体であるため既存プロセスとの親和性も高く次世代材料として期待されている。しかし、Geにおいて遅い準位が重要な課題の一つであり、多くの遅い準位はデバイスの信頼性に大きく影響する。
本研究ではオゾン酸化を用いて，Al₂O₃/ GeO_x /Ge MOS capacitorを作製し，遅い準位の評価を行った。