[10p-N401-1~7] 13.3 絶縁膜技術

13:45 〜 14:00

[10p-N401-2] オゾン酸化によるAl₂O₃/Ge MOS界面の遅い準位の評価

〇高橋 大輝¹、Xiao Yu²、青木 伸之¹、柯 夢南³ (1.千葉大物質、2.西安電子科技大、3.横浜国立大)

キーワード：

MOS界面、ゲルマニウム、遅い準位

Geは高いキャリア移動度を有しており、Siと同じⅣ族の半導体であるため既存プロセスとの親和性も高く次世代材料として期待されている。しかし、Geにおいて遅い準位が重要な課題の一つであり、多くの遅い準位はデバイスの信頼性に大きく影響する。
本研究ではオゾン酸化を用いて，Al₂O₃/ GeO_x /Ge MOS capacitorを作製し，遅い準位の評価を行った。