[10p-N402-1~11] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)

[10p-N402-6] Height distribution analysis of InAs quantum dots grown on GaAs layer by cumulative distribution function

〇Haruto Okuizumi¹, Ronel Roca¹, Itaru Kamiya¹ (1.Toyota Tech. Inst.)

Keywords:

quantum structure,quantum dot,AFM

GaAs上に形成されるInAs量子ドット(QD)は、光学特性を制御する過程でQD高さ分布の解析が欠かせず、原子間力顕微鏡(AFM)が広く用いられる。しかし、熱ドリフトや基板面の凹凸によりこの同定は必ずしも容易ではない。本発表では、InAs QDの高さ分布を累積分布関数によってAFM像から簡便かつ正確に得る手法を提案する。