講演情報
[10p-N402-6]累積分布関数による GaAs 層上に成長させたInAs 量子ドット高さ分布解析
〇奥泉 陽斗1、ロカ ロネル1、神谷 格1 (1.豊田工大)
キーワード：
量子構造、量子ドット、原子間力顕微鏡
GaAs上に形成されるInAs量子ドット(QD)は、光学特性を制御する過程でQD高さ分布の解析が欠かせず、原子間力顕微鏡(AFM)が広く用いられる。しかし、熱ドリフトや基板面の凹凸によりこの同定は必ずしも容易ではない。本発表では、InAs QDの高さ分布を累積分布関数によってAFM像から簡便かつ正確に得る手法を提案する。