Presentation Information
[10p-S102-7]Gate stack fabrication with resist-free interface on epitaxial monolayer MoS2 on sapphire substrate
〇Tomonori Nishimura1, Shuhong Li1, Ryotaro Otake1, Keisuke Atsumi1, Yoshiki Sakuma2, Takahiro Nagata2, Kaito Kanahashi1, Kosuke Nagashio1 (1.The Univ. of Tokyo, 2.NIMS)
Keywords:
Gate stack
応用展開を見据えたゲートスタック設計には，MoS2表面への直接レジスト塗布に伴うレジスト残渣がゲート絶縁膜の特性に与える影響が懸念されており，これを解消するプロセスの確立はラボスケールの段階においても重要である．本研究ではMoS2上にレジストを直接塗布しないハードマスクを用いたレジストフリー界面プロセスを構築し，サファイア基板上にエピ成長した単層MoS2に対してhigh-kトップゲートを有するFET及びキャパシタを作成しその特性を評価した．