講演情報
[10p-S102-7]サファイア基板上単層MoS2へのレジストフリー界面ゲートスタック形成
〇西村 知紀1、李 曙紅1、大竹 亮多郎1、渥美 圭脩1、佐久間 芳樹2、長田 貴弘2、金橋 魁利1、長汐 晃輔1 (1.東大院工、2.物材機構)
キーワード：
ゲートスタック
応用展開を見据えたゲートスタック設計には，MoS2表面への直接レジスト塗布に伴うレジスト残渣がゲート絶縁膜の特性に与える影響が懸念されており，これを解消するプロセスの確立はラボスケールの段階においても重要である．本研究ではMoS2上にレジストを直接塗布しないハードマスクを用いたレジストフリー界面プロセスを構築し，サファイア基板上にエピ成長した単層MoS2に対してhigh-kトップゲートを有するFET及びキャパシタを作成しその特性を評価した．