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9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[7a-N322-1]Fabrication of 147 nm T-shaped submicron gate electrode for diamond MOSFETs by electron beam lithography

〇(M1)Yoshiki Muta¹, Niloy Chandra Saha¹, Masanori Eguchi², Toshiyuki Oishi¹, Atsushi Tomiki³, Makoto Kasu^1,4 (1.Dept. Electrical Electronic Eng., Saga Univ., 2.Synchrotron Light Application Center, Saga Univ., 3.ISAS/JAXA, 4.Diamond Semiconductor Co., Ltd)

Keywords:

Diamond

ダイヤモンドは，パワー半導体に望まれる物性値を有している．そのため，大電力及び高周波用の次世代パワー半導体として期待されている．マイクロ波，ミリ波帯増幅用のFETには，サブミクロン（1 μm未満）のゲート長のゲート電極が必要であり，ゲート抵抗を抑制するためにT型ゲートが必須である．我々はダイヤモンドで世界最短レベルの147 nmのT型ゲートを電子ビーム描画で作製したので報告する．

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