[7a-N322-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[7a-N322-1] 電子ビーム描画によるダイヤモンドMOSFETの147 nm T型サブミクロンゲート電極の作製

〇(M1)牟田 吉希¹、ニロイ チャンドラ　サハ¹、江口 正徳²、大石 敏之¹、冨木 淳史³、嘉数 誠^1,4 (1.佐賀大院理工、2.佐賀大シンクロトロン、3.JAXA宇宙科学研究所、4.（株）ダイヤモンドセミコンダクター)

キーワード：

ダイヤモンド

ダイヤモンドは，パワー半導体に望まれる物性値を有している．そのため，大電力及び高周波用の次世代パワー半導体として期待されている．マイクロ波，ミリ波帯増幅用のFETには，サブミクロン（1 μm未満）のゲート長のゲート電極が必要であり，ゲート抵抗を抑制するためにT型ゲートが必須である．我々はダイヤモンドで世界最短レベルの147 nmのT型ゲートを電子ビーム描画で作製したので報告する．