Presentation Information
[7a-N322-10]Characterization of rutile-type GeO2 using ion implantation process.
〇Yuri Shimizu1, Ai Kono1, Toyosuke Ibi1, Shinpei Matsuda1, Kentaro Kaneko1,2 (1.Patentix Inc., 2.ROST Ritsumeikan Univ.)
Keywords:
r-GeO2,Ultra Wide Bandgap,Ion implantation
GaNやSiC以上のバンドギャップをもつウルトラワイドバンドギャップ半導体が注目されている。r-GeO2は実測値にて4.85~5.2 eVという巨大なバンドギャップをもち、p型n型両伝導の作製が理論的に可能とされているため、normally-off型MOSFETなどの電力変換素子への応用が期待できる。本研究ではr-GeO2単相膜に、不純物ドーピングの位置精度が高く、注入深さの制御が可能であるイオン注入プロセスを行ったため、その物性評価について報告する。