[7a-N322-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[7a-N322-10] イオン注入プロセスを用いた
ルチル構造二酸化ゲルマニウム(r-GeO₂)の特性評価

〇清水 悠吏¹、河野 愛¹、衣斐 豊祐¹、松田 慎平¹、金子 健太郎^1,2 (1.Patentix株式会社、2.立命館大学総合科学技術研究機構)

キーワード：

ルチル型構造二酸化ゲルマニウム、超ワイドバンドギャップ、イオン注入

GaNやSiC以上のバンドギャップをもつウルトラワイドバンドギャップ半導体が注目されている。r-GeO₂は実測値にて4.85~5.2 eVという巨大なバンドギャップをもち、p型n型両伝導の作製が理論的に可能とされているため、normally-off型MOSFETなどの電力変換素子への応用が期待できる。本研究ではr-GeO₂単相膜に、不純物ドーピングの位置精度が高く、注入深さの制御が可能であるイオン注入プロセスを行ったため、その物性評価について報告する。