Presentation Information
[7a-N322-6]Hall Measurement of Highly Si-Doped n-Ga2O3 by Hot Ion Implantation
〇(M2)Kotaro Yagi1, Daisuke Matsuo2, Shun Konno2, Kosuke Usui2, Yasunori Andoh3, Kohei Tanaka2, Masataka Higashiwaki1,4 (1.Osaka Metropolitan Univ., 2.Nissin Ion Equipment, 3.Nissin Electric, 4.NICT)
Keywords:
semiconductor,ion implantation,gallium oxide
本研究では、Ga2O3に300°CでSiイオン注入を行ったサンプルに対し室温ホール測定を行い、電子濃度 (n) および移動度 (μ) を評価した。結果、Si < 2 × 1020 cm-3では活性化率がほぼ100%となった。また、Si = 2 × 1020 cm-3においてμ最大値68 cm2/Vsが得られた。これは、n > 1 × 1020 cm-3のn-Ga2O3としては非常に高い値である。