[7a-N322-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[7a-N322-6] Hall Measurement of Highly Si-Doped n-Ga₂O₃ by Hot Ion Implantation

〇(M2)Kotaro Yagi¹, Daisuke Matsuo², Shun Konno², Kosuke Usui², Yasunori Andoh³, Kohei Tanaka², Masataka Higashiwaki^1,4 (1.Osaka Metropolitan Univ., 2.Nissin Ion Equipment, 3.Nissin Electric, 4.NICT)

Keywords:

semiconductor,ion implantation,gallium oxide

本研究では、Ga₂O₃に300°CでSiイオン注入を行ったサンプルに対し室温ホール測定を行い、電子濃度 (n) および移動度 (μ) を評価した。結果、Si < 2 × 10²⁰ cm^-3では活性化率がほぼ100%となった。また、Si = 2 × 10²⁰ cm^-3においてμ最大値68 cm²/Vsが得られた。これは、n > 1 × 10²⁰ cm^-3のn-Ga₂O₃としては非常に高い値である。