講演情報
[7a-N322-6]加熱イオン注入による高濃度Siドープn-Ga2O3のホール測定
〇(M2)八木 虎太郎1、松尾 大輔2、金野 舜2、臼井 洸佑2、安東 靖典3、田中 浩平2、東脇 正高1,4 (1.大阪公立大院工、2.日新イオン機器、3.日新電機、4.情通機構)
キーワード：
半導体、イオン注入、酸化ガリウム
本研究では、Ga2O3に300°CでSiイオン注入を行ったサンプルに対し室温ホール測定を行い、電子濃度 (n) および移動度 (μ) を評価した。結果、Si < 2 × 1020 cm-3では活性化率がほぼ100%となった。また、Si = 2 × 1020 cm-3においてμ最大値68 cm2/Vsが得られた。これは、n > 1 × 1020 cm-3のn-Ga2O3としては非常に高い値である。