[7a-N322-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[7a-N322-9] Crystal growth of r-GeO₂ thin film on 4H-SiC substrate using buffer layer

〇Toya Yagura^1,2, Yuri Shimizu¹, Akiyoshi Kudo¹, Toyosuke Ibi¹, Shinpei Matsuda¹, Kentaro Kaneko^1,3 (1.Patentix Inc., 2.Col. of Sci. & Eng. Ritsumeikan Univ., 3.ROST Ritsumeikan Univ.)

Keywords:

semiconductor,UWBG,r-GeO2

熱伝導率に優れ大口径基板が容易に入手可能な4H-SiC基板上へバッファ層を導入することでr-GeO₂を成長した。