[7a-N322-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:15 〜 11:30

[7a-N322-9] r-GeO₂薄膜の 4H-SiC 基板上への結晶成長

〇矢倉 藤也^1,2、清水 悠吏¹、工藤 昭吉¹、衣斐 豊祐¹、松田 慎平¹、金子 健太郎^1,3 (1.Patentix 株式会社、2.立命館大理工、3.立命館大総研)

キーワード：

半導体、ウルトラワイドバンドギャップ、ルチル構造二酸化ゲルマニウム

熱伝導率に優れ大口径基板が容易に入手可能な4H-SiC基板上へバッファ層を導入することでr-GeO₂を成長した。