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10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)

[7a-N405-4]Fabrication of amorphous ternary Ge-S-Te thin films by vacuum evaporation for the selector application

〇(M1C)Daiki Inose¹, Mihyeon Kim¹, Shogo Hatayama², Yuta Saito^1,2,3 (1.Tohoku Univ., 2.SFRC, AIST, 3.GXT, Tohoku Univ.)

Keywords:

selector,vacuum evaporation,amorphous chalcogenide

アモルファスカルコゲナイドからなるOTS(Ovonic Threshold Switch)材料は, 閾値電圧を超えると高抵抗から低抵抗へ, 電圧を除荷するともとに戻る揮発性のスイッチ特性を示し, セレクタ素子として実用化されている. 本研究では, 二元系で報告のあるGe-Te系, Ge-S系材料を基に, Ge-S-Te薄膜を系統的に調査し, 既存材料を凌駕する新しいOTS材料の創製を目的とした.

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