講演情報
[7a-N405-4]真空蒸着によるアモルファスGe-S-Te三元薄膜の創製と選択素子への応用
〇(M1C)猪瀬 大貴1、金 美賢1、畑山 祥吾2、齊藤 雄太1,2,3 (1.東北大工、2.産総研 SFRC、3.東北大 GXT)
キーワード：
セレクタ、真空蒸着、アモルファスカルコゲナイド
アモルファスカルコゲナイドからなるOTS(Ovonic Threshold Switch)材料は, 閾値電圧を超えると高抵抗から低抵抗へ, 電圧を除荷するともとに戻る揮発性のスイッチ特性を示し, セレクタ素子として実用化されている. 本研究では, 二元系で報告のあるGe-Te系, Ge-S系材料を基に, Ge-S-Te薄膜を系統的に調査し, 既存材料を凌駕する新しいOTS材料の創製を目的とした.