Presentation Information
[7a-P04-10]Fabrication of Porous Si(001) substrate with different porosity and evaluation of its effects on GaAs/Porous Si(001)
〇Shintaro Osaki1, Ryunosuke Minamoto1, Hidetosi Suzuki1 (1.Miyazaki Univ.)
Keywords:
Porous Si,Thin film crystal growth
Si基板上へのGaAs薄膜成長が太陽電池の新材料として注目されているが、格子不整合により実現していない。その解決のためにSi基板表面を多孔質化させたPorous Siを基板に使用する。
まず、Porous Si作製条件の変化がPorous形状に与える影響を調べた。この結果をもとに気孔率を変えたPorous Siを作り分け、気孔率の違いがGaAs/Porous Si(001)に与える影響を検討した。
まず、Porous Si作製条件の変化がPorous形状に与える影響を調べた。この結果をもとに気孔率を変えたPorous Siを作り分け、気孔率の違いがGaAs/Porous Si(001)に与える影響を検討した。