講演情報
[7a-P04-10]気孔率の異なるPorous Si(001)基板の作製とPorous形状がGaAs/Porous Si(001)に与える影響
〇大崎 進太郎1、源 龍之介1、鈴木 秀俊1 (1.宮崎大工)
キーワード：
多孔質Si、薄膜結晶成長
Si基板上へのGaAs薄膜成長が太陽電池の新材料として注目されているが、格子不整合により実現していない。その解決のためにSi基板表面を多孔質化させたPorous Siを基板に使用する。
まず、Porous Si作製条件の変化がPorous形状に与える影響を調べた。この結果をもとに気孔率を変えたPorous Siを作り分け、気孔率の違いがGaAs/Porous Si(001)に与える影響を検討した。
まず、Porous Si作製条件の変化がPorous形状に与える影響を調べた。この結果をもとに気孔率を変えたPorous Siを作り分け、気孔率の違いがGaAs/Porous Si(001)に与える影響を検討した。