Presentation Information
[7a-P04-3]Growth Condition Optimization of Al0.25In0.75Sb/InSb Heterostructure for High Electron Mobility and Low Sheet Resistance
〇Ryuto Machida1, Kouichi Akahane1, Shinsuke Hara1, Akifumi Kasamatsu1, Issei Watanabe1 (1.NICT)
Keywords:
narrow bandgap compound semiconductor,indium antimonide,molecular beam epitaxy (MBE)
InSb系高電子移動度トランジスタ（HEMT）の高速・高周波化には、高品質なAlInSb/InSbヘテロ構造の形成が重要である。本研究は、Al0.25In0.75Sb/InSbヘテロ構造のメタモルフィックバッファ層の成長温度および膜厚、n+キャップ層の成長温度をそれぞれ最適化した。結論として、成長温度の最適化のみで、簡易な単一の厚膜バッファ層上へ、高い電子移動度および低いシート抵抗を有するAl0.25In0.75Sb/InSbヘテロ構造の形成に成功した。