[7a-P04-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[7a-P04-3] 高電子移動度および低シート抵抗のためのAl_0.25In_0.75Sb/InSbヘテロ構造の成長条件最適化

〇町田 龍人¹、赤羽 浩一¹、原 紳介¹、笠松 章史¹、渡邊 一世¹ (1.情報通信研究機構)

キーワード：

ナローバンドギャップ化合物半導体、インジウムアンチモン、分子線エピタキシー (MBE)

InSb系高電子移動度トランジスタ（HEMT）の高速・高周波化には、高品質なAlInSb/InSbヘテロ構造の形成が重要である。本研究は、Al_0.25In_0.75Sb/InSbヘテロ構造のメタモルフィックバッファ層の成長温度および膜厚、n⁺キャップ層の成長温度をそれぞれ最適化した。結論として、成長温度の最適化のみで、簡易な単一の厚膜バッファ層上へ、高い電子移動度および低いシート抵抗を有するAl_0.25In_0.75Sb/InSbヘテロ構造の形成に成功した。