Presentation Information
[7a-P05-36]Low-Voltage Operation FETs Utilizing Graphene/ Hf0.5Zr0.5O2 Heterostructure
〇(M1)Hiroshi Takase1,2, Masato Kikuchi1, Yoshiyuki Harada1,2, Akira Fujimoto1,2, Kazuto Koike1,2, Nobuya Hiroshiba1,2 (1.Osaka Inst. Tech., 2.NMRC, Osaka Inst. Tech.)
Keywords:
Graphene
本研究では，将来的にメモリ応用も見据え，高誘電(high-k)材料かつ強誘電性をもつHf₀.₅Zr₀.₅O₂(HZO)に着目した．本発表では，このグラフェンとHZOを組合せ，低電圧駆動可能なグラフェンFET(GFET)の作製・評価を行った．