講演情報
[7a-P05-36]グラフェン/Hf0.5Zr0.5O2ヘテロ構造による低電圧駆動電界効果トランジスタ
〇(M1)高瀬 寛士1,2、菊池 聖人1、原田 義之1,2、藤元 章1,2、小池 一歩1,2、廣芝 伸哉1,2 (1.大阪工大・工、2.大阪工大・ナノ材研)
キーワード：
グラフェン
本研究では，将来的にメモリ応用も見据え，高誘電(high-k)材料かつ強誘電性をもつHf₀.₅Zr₀.₅O₂(HZO)に着目した．本発表では，このグラフェンとHZOを組合せ，低電圧駆動可能なグラフェンFET(GFET)の作製・評価を行った．