Presentation Information
[7a-P05-37]Characterization of ozone-oxidized SiO2 for interlayer films in graphene/Si solar cells
〇(M1C)Yuto Kimura1, Kazushi Inoue1, Katsuyuki Yagi1, Koki Nakane1, Eiji Hatta1, Kazuhisa Sueoka1, Agus Subagyo1 (1.Graduate School of IST, Hokkaido Univ.)
Keywords:
graphene,solar cell
本研究では、グラフェン/シリコンショットキー障壁型太陽電池の中間層として最適とされる1.5nm程度のSiO2の形成法として、オゾン酸化法を応用した。オゾン酸化法は低温形成が可能、Åオーダーの膜厚制御に優れ、良質な極薄のSiO2の形成に最適な方法であることを明らかにした。また、作製した1.5nmのSiO2は、太陽電池に応用する際、グラフェン直接成長の加熱温度600℃への耐熱性を有していることも明らかになった。