講演情報
[7a-P05-37]オゾン酸化法によるグラフェン/Si太陽電池のSiO2中間層の形成と評価
〇(M1C)木村 優斗1、井上 和志1、八木 遂行1、中根 晃紀1、八田 英嗣1、末岡 和久1、Subagyo Agus1 (1.北大院情)
キーワード：
グラフェン、太陽電池
本研究では、グラフェン/シリコンショットキー障壁型太陽電池の中間層として最適とされる1.5nm程度のSiO2の形成法として、オゾン酸化法を応用した。オゾン酸化法は低温形成が可能、Åオーダーの膜厚制御に優れ、良質な極薄のSiO2の形成に最適な方法であることを明らかにした。また、作製した1.5nmのSiO2は、太陽電池に応用する際、グラフェン直接成長の加熱温度600℃への耐熱性を有していることも明らかになった。