Presentation Information
[7a-P05-39]Structural Verification of SiC Remote Epitaxial Growth
〇Mitsuru Morimoto1, Takuji Maekawa1, Yoshinori Miyamae1, Ken Nakahara1, Hiroyuki Kageshima2 (1.ROHM Co., Ltd., 2.Shimane Univ.)
Keywords:
remote epitaxy,graphene,first-principles calculations
グラフェンなどの2D材料を用いたリモートエピタキシーは、剥離可能な結晶性薄膜を得る有用な方法であるが、成長や剥離のメカニズムが不明確である。本研究では、メカニズムの解明を目的として、平面波基底密度汎関数理論に基づき、グラフェンを用いたSiCリモートエピにおける構造の検証及び界面接着力を解析した。