講演情報
[7a-P05-39]SiCリモートエピタキシャル成長の構造検証
〇森本 満1、前川 拓滋1、宮前 義範1、中原 健1、影島 博之2 (1.ローム株式会社、2.島根大院自然科学)
キーワード：
リモートエピタキシー、グラフェン、第一原理計算
グラフェンなどの2D材料を用いたリモートエピタキシーは、剥離可能な結晶性薄膜を得る有用な方法であるが、成長や剥離のメカニズムが不明確である。本研究では、メカニズムの解明を目的として、平面波基底密度汎関数理論に基づき、グラフェンを用いたSiCリモートエピにおける構造の検証及び界面接着力を解析した。