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[7a-P05-73]Modulation of the electronic and optical properties of MoS2 by in-situ sulfur vapor deposition
〇(DC)Takumi Yoshida1, Hideki Hamamoto1, Yasushi Ishiguro2, Kazuyuki Takai1 (1.Hosei Univ., 2.National Defense Acad.)
Keywords:
Molybdenum disulfide,Sulfur vacancy,Field Effect Transistor
二硫化モリブデン (MoS2) は簡便に単層試料 (1L-MoS2) を得ることができるが，その過程で生じる硫黄空孔は電子供与体として働くだけでなくデバイス特性を低下させるため，硫黄空孔の補修に注目が集まっている．本研究では1L-MoS2を真空加熱しin-situで硫黄蒸着した際の電気伝導度，PL・Ramanスペクトルの変調を調べ，硫黄蒸着による1L-MoS2の電子・光学物性への影響を評価した．