講演情報
[7a-P05-73]In-situ硫黄蒸着によるMoS2の電子・光学物性の変調
〇(DC)吉田 巧1、濱本 英幹1、石黒 康志2、高井 和之1 (1.法政大院理工、2.防衛大電気電子工)
キーワード：
二硫化モリブデン、硫黄空孔、電界効果トランジスタ
二硫化モリブデン (MoS2) は簡便に単層試料 (1L-MoS2) を得ることができるが，その過程で生じる硫黄空孔は電子供与体として働くだけでなくデバイス特性を低下させるため，硫黄空孔の補修に注目が集まっている．本研究では1L-MoS2を真空加熱しin-situで硫黄蒸着した際の電気伝導度，PL・Ramanスペクトルの変調を調べ，硫黄蒸着による1L-MoS2の電子・光学物性への影響を評価した．