Presentation Information
[7a-P05-74]Structural Optimization of Memory and Selector Devices Based on MoTe2
〇Kentarou Uzawa1, Hirotaka Tsutsui1, Takuya Iwasaki2, Ryoma Hayakawa2, Kenji Watanabe2, Takashi Taniguchi2, Shu Nakaharai3, Yutaka Wakayama2, Satoshi Moriyama1 (1.Tokyo Denki Univ., 2.NIMS, 3.Tokyo Univ. Tech.)
Keywords:
Two Dimensional Material,MoTe2,Selector device
遷移金属ダイカルコゲナイド(Transition metal dichalcogenides, TMDCs)は、電子物性が大きく異なる結晶構造を持つという特性を有しており、その構造変化を利用した相変化デバイスとしての応用が注目されている。前回我々は、TMDCの一つである2H-MoTe2をGraphiteで挟み込んだ原子層積層構造がセレクタ素子として機能することを報告した。本講演では、2H-MoTe₂を1T'-MoTe₂で挟んだ構造がメモリ素子として動作したことに加え、各構造に対してh-BNで構造改善を施した結果について議論する。