講演情報
[7a-P05-74]MoTe2を用いたメモリ、セレクタデバイス動作と素子構造の改善
〇宇澤 拳太郎1、筒井 博隆1、岩崎 拓哉2、早川 竜馬2、渡邊 賢司2、谷口 尚2、中払 周3、若山 裕2、森山 悟士1 (1.東京電機大学、2.NIMS、3.東京工科大学)
キーワード：
二次元材料、二テルル化モリブテン、セレクタ
遷移金属ダイカルコゲナイド(Transition metal dichalcogenides, TMDCs)は、電子物性が大きく異なる結晶構造を持つという特性を有しており、その構造変化を利用した相変化デバイスとしての応用が注目されている。前回我々は、TMDCの一つである2H-MoTe2をGraphiteで挟み込んだ原子層積層構造がセレクタ素子として機能することを報告した。本講演では、2H-MoTe₂を1T'-MoTe₂で挟んだ構造がメモリ素子として動作したことに加え、各構造に対してh-BNで構造改善を施した結果について議論する。