[7a-P05-1~80] 17 Nanocarbon and Two-Dimensional Materials (Poster)

[7a-P05-76] Characterization of switching response of MoTe₂-based resistive switching devices

〇Hirotaka Tsutsui¹, Kentaro Uzawa¹, Takuya Iwasaki², Ryoma Hayakawa², Kenji Watanabe², Takashi Taniguchi², Shu Nakaharai³, Yutaka Wakayama², Satoshi Moriyama¹ (1.Tokyo Denki Univ., 2.NIMS, 3.Tokyo Univ. Tech.)

Keywords:

two dimensional materials,MoTe2,selector device

近年、原子層材料である遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)のデバイス応用に注目が集まっている。我々は、TMDCの一つであるMoTe2薄膜を同じ原子層材料であるグラファイトで挟み込んだ縦型積層スイッチングデバイスにおいてセレクタ動作が発現することを報告した。今回、前回と同様の原子層積層構造のデバイスを作製し、そのスイッチング応答速度を評価したので、その結果を報告する。