Presentation Information
[7a-P05-76]Characterization of switching response of MoTe2-based resistive switching devices
〇Hirotaka Tsutsui1, Kentaro Uzawa1, Takuya Iwasaki2, Ryoma Hayakawa2, Kenji Watanabe2, Takashi Taniguchi2, Shu Nakaharai3, Yutaka Wakayama2, Satoshi Moriyama1 (1.Tokyo Denki Univ., 2.NIMS, 3.Tokyo Univ. Tech.)
Keywords:
two dimensional materials,MoTe2,selector device
近年、原子層材料である遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)のデバイス応用に注目が集まっている。我々は、TMDCの一つであるMoTe2薄膜を同じ原子層材料であるグラファイトで挟み込んだ縦型積層スイッチングデバイスにおいてセレクタ動作が発現することを報告した。今回、前回と同様の原子層積層構造のデバイスを作製し、そのスイッチング応答速度を評価したので、その結果を報告する。