[7a-P05-1~80] 17 ナノカーボン・二次元材料（ポスター）

[7a-P05-76] MoTe₂を用いた抵抗変化型デバイスのスイッチング応答評価

〇筒井 博隆¹、宇澤 拳太郎¹、岩崎 拓哉²、早川 竜馬²、渡邊 賢司²、谷口 尚²、中払 周³、若山 裕²、森山 悟士¹ (1.東京電機大学、2.NIMS、3.東京工科大)

キーワード：

二次元材料、二テルル化モリブデン、セレクタ

近年、原子層材料である遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)のデバイス応用に注目が集まっている。我々は、TMDCの一つであるMoTe2薄膜を同じ原子層材料であるグラファイトで挟み込んだ縦型積層スイッチングデバイスにおいてセレクタ動作が発現することを報告した。今回、前回と同様の原子層積層構造のデバイスを作製し、そのスイッチング応答速度を評価したので、その結果を報告する。