Presentation Information
[7p-N301-10]Impact of polarization switching control on physical reservoir computing performance in a HfO2-based ferroelectric MFM capacitor
〇Sota Inoue1, Yu Ukezeki1, Norifumi Fujimura1, Kasidit Toprasertpong2, Shinichi Takagi2, Takeshi Yoshimura1 (1.Osaka Metro. Univ., 2.The Univ. of Tokyo)
Keywords:
ferroelectric thin film,HfO2-based ferroelectric,physical reservoir computing
強誘電体は記憶と演算の一体化を可能にする有望なハードウェア材料とされており、近年では物理リザバー計算(PRC)への応用が注目されている。この応用には入力履歴に応じて多様な状態を形成できるアナログ記憶特性が求められ、強誘電体においては分極状態がアナログ的に変化することが重要となる。前回はアナログ記憶特性と印加電圧の関係を調べ、最適な印加電圧条件下において分極が本質的に双安定的であることに起因し、その特性の向上は限定的であることを明らかにした。そこで今回は、コンデンサを直列接続して緩やかな分極反転を生じさせることで、PRCの学習性能の向上を試みた。