講演情報
[7p-N301-10]HfO₂系強誘電体MFMキャパシタにおける分極特性制御が物理リザバー計算性能に及ぼす影響
〇井上 颯太1、請関 優1、藤村 紀文1、Kasidit Toprasertpong2、高木 信一2、吉村 武1 (1.阪公大工、2.東大工)
キーワード：
強誘電体薄膜、HfO2系強誘電体、物理リザバー計算
強誘電体は記憶と演算の一体化を可能にする有望なハードウェア材料とされており、近年では物理リザバー計算(PRC)への応用が注目されている。この応用には入力履歴に応じて多様な状態を形成できるアナログ記憶特性が求められ、強誘電体においては分極状態がアナログ的に変化することが重要となる。前回はアナログ記憶特性と印加電圧の関係を調べ、最適な印加電圧条件下において分極が本質的に双安定的であることに起因し、その特性の向上は限定的であることを明らかにした。そこで今回は、コンデンサを直列接続して緩やかな分極反転を生じさせることで、PRCの学習性能の向上を試みた。