Presentation Information

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[7p-N301-4]Tuning ferroelectricity and crystallographic orientation of Y-doped HfO₂ thin films directly deposited on silicon via RF magnetron sputtering

〇Shinya Kondo^1,2, Tomoshige Ono², Hinata Sawaki¹, Toshiya Murai³, Rai Kou³, Kazuki Okamoto⁴, Funakubo Hiroshi⁴, Teranishi Takashi², Akira Kishimoto², Tomoaki Yamada^1,5 (1.Nagoya Univ., 2.Okayma Univ., 3.AIST, 4.Science Tokyo, 5.Science Tokyo MDX)

Keywords:

ferroelectric HfO2,thin film,RF magnetron sputtering

強誘電体HfO2基薄膜はCMOSプロセスと互換性があり，Siフォトニクスに適合可能な材料として期待されている．これまで単結晶基板上のエピタキシャルY添加HfO2 (YHO) 薄膜で電気光学 (EO) 効果を初めて報告し，最近ではZr添加HfO2薄膜でも同等のEO係数が報告されている．一方で，これまでの報告では，Si直上では極薄膜を除いて強誘電性を有するHfO2基エピタキシャル薄膜の報告はない．そこで本研究では，RFマグネトロンスパッタリング法を用いた非加熱成膜と極薄Y-Hfバッファ層の導入による意図的な界面層制御により界面反応層の生成を抑制し，これらが Si基板直上のYHO薄膜の配向性及び強誘電性に与える影響について報告する．

Back to Session information

Presentation Information

[7p-N301-4]Tuning ferroelectricity and crystallographic orientation of Y-doped HfO2 thin films directly deposited on silicon via RF magnetron sputtering

Keywords:

[7p-N301-4]Tuning ferroelectricity and crystallographic orientation of Y-doped HfO₂ thin films directly deposited on silicon via RF magnetron sputtering